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在MOCVD质量控制生长模式下,通过分析Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料在衬底表面的反应过程,建立了一个实用的生长模型.此模型是基于分子......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
非金属材料放气是造成太阳电池性能下降的因素之一。为提高镓铟磷电池的应用效率，文章以航天器常用硅橡胶作为放气源，通过电池性能与......
在室温和低温液氮下,研究了有序和无序Ga0.2In0.48P的时间分辨发光谱.对实验结果的拟合表明,有序Ga052In0.48P的发光呈双指数规律......
作为航天飞行器能源的GaInP／GaAs／Ge三结太阳电池在太空环境运行时不仅受到光辐照，同时会受到各种能量的质子、电子等粒子的辐照，导致......
<正>2014年,天津三安光电公司报道,他们成功研发了晶格应变三结叠层GaInP/GaInAs/Ge高倍聚光电池,并进行了规模生产,聚光电池效率......
Ge基Ⅲ-Ⅴ族半导体材料(GaAs/Ge,GaInP/Ge)在外延过程中存在很多问题,主要是反向畴和异质界面间原子的互扩散。在As或者P气氛中对G......
通过理论分析和CrossLight软件的Lastip模块模拟,探究了垒层应变量、厚度、周期数对于In GaAs/GaInP/GaAs应变补偿超晶格结构增益......
对可见光半导体光电子材料Ga0. 5In0. 5P、(AlXGa1-X)0. 5In0. 5P的MOCVD生长进行了研究。使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段......
